快科技 2 月 12 日音讯，据韩国媒体报说念九游会J9，长鑫存储（CXMT）正在加快开垦下一代 DRAM 期间，其并未按原野心为首款商用 DDR5 产物弃取的 17nm，而是平直弃取了 16nm 制程期间。

下一代 15nm 制程期间也在现存制程基础上进行开垦中，指标是在 2025 年内开垦出该期间，并最快在 2026 年下半年就能达成贸易化的指标。

长鑫存储此前主要坐蓐弃取 17-18nm 制程的 DDR4、LPDDR4X 等锻练产物，2024 年 11 月，该公司初次发布了 LPDDR5 产物，并在 2025 年稍早得胜竣事了 DDR5 的贸易化指标。

长鑫存储对这次 DDR5 弃取的制程期间一直充满信心，如今事实涌现，其下一代制程开垦速率比原野心更快。

说合机构 TechInsights 示意，长鑫存储在完成 17nm 制程期间开垦后，紧接着完成了 16nm 制程期间的开垦，因此首款商用 DDR5 产物弃取了 16nm 制程期间。

此外，长鑫存储原野心发展 15nm 制程期间，但受好意思国加强先进半导体制造开垦出口扫尾影响，无法引进 EUV 先进制造开垦，导致野心暂时放缓。

不外跟着期间开垦的锻练，预测长鑫存储诈欺现存开垦也足以开垦和量产下一代制程，毕竟好意思光的 13nm DRAM 制程期间也莫得弃取使用 EUV。

九游会J9